Købe NTD110N02R-001G med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | I-Pak |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 1.5W (Ta), 110W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | NTD110N02R-001G |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 3440pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 4.5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 24V 12.5A (Ta), 110A (Tc) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Through Hole I-Pak |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 24V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
Email: | [email protected] |