Købe NTD4860N-35G med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | I-Pak |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7.5 mOhm @ 30A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 1.28W (Ta), 50W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | NTD4860N-35G |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1308pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16.5nC @ 4.5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 25V 10.4A (Ta), 65A (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-Pak |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 25V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 10.4A (Ta), 65A (Tc) |
Email: | [email protected] |