NTD4909N-1G
NTD4909N-1G
Varenummer:
NTD4909N-1G
Fabrikant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
15117 Pieces
Datablad:
NTD4909N-1G.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for NTD4909N-1G, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til NTD4909N-1G via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe NTD4909N-1G med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:I-Pak
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max):1.37W (Ta), 29.4W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Driftstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:NTD4909N-1G
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1314pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17.5nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Through Hole I-Pak
Afløb til Source Voltage (VDSS):30V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:8.8A (Ta), 41A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer