NVD5863NLT4G-VF01
NVD5863NLT4G-VF01
Varenummer:
NVD5863NLT4G-VF01
Fabrikant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
12056 Pieces
Datablad:
NVD5863NLT4G-VF01.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for NVD5863NLT4G-VF01, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til NVD5863NLT4G-VF01 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe NVD5863NLT4G-VF01 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:DPAK
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.1 mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max):3.1W (Ta), 96W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andre navne:NVD5805NT4G-VF01
NVD5863NLT4G
NVD5863NLT4G-ND
NVD5863NLT4G-VF01TR
NVD5863NLT4GOSTR-ND
Driftstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:18 Weeks
Producentens varenummer:NVD5863NLT4G-VF01
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:3850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 60V 14.9A (Ta), 82A (Tc) 3.1W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DPAK
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):60V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:14.9A (Ta), 82A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer
Loading...