Købe RCD041N25TL med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | CPT3 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1300 mOhm @ 2A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andre navne: | RCD041N25TLTR |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 17 Weeks |
Producentens varenummer: | RCD041N25TL |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.5nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 250V 4A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 250V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 250V 4A CPT3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |