Købe RJK2511DPK-00#T0 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-3P |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 34 mOhm @ 32.5A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 200W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 16 Weeks |
Producentens varenummer: | RJK2511DPK-00#T0 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 4900pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 250V 65A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 250V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 250V 65A TO3P |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 65A (Ta) |
Email: | [email protected] |