RN2706JE(TE85L,F)
RN2706JE(TE85L,F)
Varenummer:
RN2706JE(TE85L,F)
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor
Beskrivelse:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
15251 Pieces
Datablad:
RN2706JE(TE85L,F).pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for RN2706JE(TE85L,F), vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til RN2706JE(TE85L,F) via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe RN2706JE(TE85L,F) med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max):50V
Vce Mætning (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Leverandør Device Package:ESV
Serie:-
Modstand - Emitterbase (R2) (Ohm):47k
Modstand - Base (R1) (Ohms):4.7k
Strøm - Max:100mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Pakke / tilfælde:SOT-553
Andre navne:RN2706JE(TE85LF)CT
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:RN2706JE(TE85L,F)
Frekvens - Overgang:200MHz
Udvidet beskrivelse:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Beskrivelse:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Nuværende - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nuværende - Samler (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer