Købe RQ3E100GNTB med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 8-HSMT (3.2x3) |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 11.7 mOhm @ 10A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 2W (Ta), 15W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 8-PowerVDFN |
Andre navne: | RQ3E100GNTBTR |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 10 Weeks |
Producentens varenummer: | RQ3E100GNTB |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 420pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.9nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 30V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
Email: | [email protected] |