Købe RW1C020UNT2R med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 6-WEMT |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 400mW (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | SOT-563, SOT-666 |
Andre navne: | RW1C020UNT2R-ND RW1C020UNT2RTR |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 10 Weeks |
Producentens varenummer: | RW1C020UNT2R |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 180pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2nC @ 4.5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 20V 2A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
Email: | [email protected] |