Købe SI1032X-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±6V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | SC-89-3 |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 300mW (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | SC-89, SOT-490 |
Andre navne: | SI1032X-T1-GE3TR SI1032XT1GE3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 12 Weeks |
Producentens varenummer: | SI1032X-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.75nC @ 4.5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 20V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
Email: | [email protected] |