Købe SI1067X-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | SC-89-6 |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 236mW (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | SOT-563, SOT-666 |
Andre navne: | SI1067X-T1-E3TR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI1067X-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 375pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.3nC @ 5V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |