Købe SI2308DS-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 160 mOhm @ 2A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 1.25W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andre navne: | SI2308DS-T1-E3TR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI2308DS-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 240pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 60V 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 60V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |