Købe SI2328DS-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 250 mOhm @ 1.5A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 730mW (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andre navne: | SI2328DS-T1-GE3TR SI2328DST1GE3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 24 Weeks |
Producentens varenummer: | SI2328DS-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 100V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 100V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 1.15A (Ta) |
Email: | [email protected] |