Købe SI2351DS-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 1W (Ta), 2.1W (Tc) |
Emballage: | Original-Reel® |
Pakke / tilfælde: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andre navne: | SI2351DS-T1-E3DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI2351DS-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.1nC @ 5V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |