Købe SI3407DV-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 6-TSOP |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI3407DV-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1670pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 63nC @ 10V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |