SI3430DV-T1-GE3
SI3430DV-T1-GE3
Varenummer:
SI3430DV-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
17861 Pieces
Datablad:
SI3430DV-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SI3430DV-T1-GE3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SI3430DV-T1-GE3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SI3430DV-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:6-TSOP
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:170 mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max):1.14W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andre navne:SI3430DV-T1-GE3TR
SI3430DVT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:24 Weeks
Producentens varenummer:SI3430DV-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6.6nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 100V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):100V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:1.8A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer