Købe SI3473DV-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 6-TSOP |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 1.1W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Andre navne: | SI3473DV-T1-E3TR SI3473DVT1E3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI3473DV-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 4.5V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 12V 5.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 12V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 5.9A (Ta) |
Email: | [email protected] |