SI3493BDV-T1-E3
SI3493BDV-T1-E3
Varenummer:
SI3493BDV-T1-E3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
14481 Pieces
Datablad:
SI3493BDV-T1-E3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SI3493BDV-T1-E3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SI3493BDV-T1-E3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SI3493BDV-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:6-TSOP
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max):2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andre navne:SI3493BDV-T1-E3TR
SI3493BDVT1E3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:24 Weeks
Producentens varenummer:SI3493BDV-T1-E3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1805pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:43.5nC @ 5V
FET Type:P-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:P-Channel 20V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Afløb til Source Voltage (VDSS):20V
Beskrivelse:MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer