Købe SI4426DY-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 8-SO |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 1.5W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 18 Weeks |
Producentens varenummer: | SI4426DY-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 4.5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 20V 6.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 6.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |