Købe SI4462DY-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 8-SO |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 480 mOhm @ 1.5A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 1.3W (Ta) |
Emballage: | Original-Reel® |
Pakke / tilfælde: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andre navne: | SI4462DY-T1-E3DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI4462DY-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 200V 1.15A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 200V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 1.15A (Ta) |
Email: | [email protected] |