Købe SI4490DY-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA (Min) |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 8-SO |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 80 mOhm @ 4A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 1.56W (Ta) |
Emballage: | Original-Reel® |
Pakke / tilfælde: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andre navne: | SI4490DY-T1-E3DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 15 Weeks |
Producentens varenummer: | SI4490DY-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 200V 2.85A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 200V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 2.85A (Ta) |
Email: | [email protected] |