Købe SI4886DY-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA (Min) |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 8-SO |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 13A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 1.56W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI4886DY-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 30V 9.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 30V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |