Købe SI5419DU-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 6.6A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 8-PowerVDFN |
Andre navne: | SI5419DU-T1-GE3TR SI5419DUT1GE3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 24 Weeks |
Producentens varenummer: | SI5419DU-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 30V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |