SI5463EDC-T1-GE3
SI5463EDC-T1-GE3
Varenummer:
SI5463EDC-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
12517 Pieces
Datablad:
SI5463EDC-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SI5463EDC-T1-GE3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SI5463EDC-T1-GE3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SI5463EDC-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:450mV @ 250µA (Min)
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:1206-8 ChipFET™
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:62 mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max):1.25W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:8-SMD, Flat Lead
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:SI5463EDC-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
FET Type:P-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:P-Channel 20V 3.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Afløb til Source Voltage (VDSS):20V
Beskrivelse:MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:3.8A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer