Købe SI6465DQ-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 450mV @ 250µA (Min) |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 8-TSSOP |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12 mOhm @ 8.8A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 1.5W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI6465DQ-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 4.5V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 8V 8.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 8V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 8.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |