Købe SI7112DN-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±12V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PowerPAK® 1212-8 |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7.5 mOhm @ 17.8A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 1.5W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | PowerPAK® 1212-8 |
Andre navne: | SI7112DN-T1-E3TR SI7112DNT1E3 |
Driftstemperatur: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 24 Weeks |
Producentens varenummer: | SI7112DN-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 2610pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 4.5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 30V 11.3A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 30V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 11.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |