Købe SI7454CDP-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PowerPAK® SO-8 |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 30.5 mOhm @ 10A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | PowerPAK® SO-8 |
Andre navne: | SI7454CDP-T1-GE3TR SI7454CDPT1GE3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI7454CDP-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19.5nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 100V 22A (Tc) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 100V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
Email: | [email protected] |