Købe SI7485DP-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 1mA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PowerPAK® SO-8 |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 1.8W (Ta) |
Emballage: | Original-Reel® |
Pakke / tilfælde: | PowerPAK® SO-8 |
Andre navne: | SI7485DP-T1-E3DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI7485DP-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 5V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 12.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |