SI7882DP-T1-E3
SI7882DP-T1-E3
Varenummer:
SI7882DP-T1-E3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
17411 Pieces
Datablad:
SI7882DP-T1-E3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SI7882DP-T1-E3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SI7882DP-T1-E3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SI7882DP-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max):1.9W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:PowerPAK® SO-8
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:SI7882DP-T1-E3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 4.5V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 12V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Afløb til Source Voltage (VDSS):12V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:13A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer