Købe SI7997DP-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
---|---|
Leverandør Device Package: | PowerPAK® SO-8 Dual |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.5 mOhm @ 20A, 10V |
Strøm - Max: | 46W |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | PowerPAK® SO-8 Dual |
Andre navne: | SI7997DP-T1-GE3TR SI7997DPT1GE3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 15 Weeks |
Producentens varenummer: | SI7997DP-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 6200pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
FET Type: | 2 P-Channel (Dual) |
FET-funktion: | Standard |
Udvidet beskrivelse: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 30V |
Beskrivelse: | MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 60A |
Email: | [email protected] |