Købe SI8439DB-T1-E1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±5V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 4-Microfoot |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 4-UFBGA |
Andre navne: | SI8439DB-T1-E1TR SI8439DBT1E1 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 24 Weeks |
Producentens varenummer: | SI8439DB-T1-E1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 4.5V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 8V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 8V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 8V MICROFOOT |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |