SI8469DB-T2-E1
SI8469DB-T2-E1
Varenummer:
SI8469DB-T2-E1
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
19887 Pieces
Datablad:
SI8469DB-T2-E1.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SI8469DB-T2-E1, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SI8469DB-T2-E1 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SI8469DB-T2-E1 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA
Vgs (Max):±5V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:4-Microfoot
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:64 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max):780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:4-UFBGA
Andre navne:SI8469DB-T2-E1-ND
SI8469DB-T2-E1TR
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:24 Weeks
Producentens varenummer:SI8469DB-T2-E1
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
FET Type:P-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:P-Channel 8V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):4.5V
Afløb til Source Voltage (VDSS):8V
Beskrivelse:MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:4.6A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer