Købe SI8823EDB-T2-E1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
Serie: | TrenchFET® Gen III |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 95 mOhm @ 1A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 900mW (Tc) |
Emballage: | Original-Reel® |
Pakke / tilfælde: | 4-XFBGA |
Andre navne: | SI8823EDB-T2-E1DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 16 Weeks |
Producentens varenummer: | SI8823EDB-T2-E1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 20V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 2.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |