Købe SI9435BDY-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 8-SO |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 42 mOhm @ 5.7A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 1.3W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andre navne: | SI9435BDY-T1-E3TR SI9435BDYT1E3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 12 Weeks |
Producentens varenummer: | SI9435BDY-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 30V 4.1A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 30V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 4.1A (Ta) |
Email: | [email protected] |