Købe SIA411DJ-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | PowerPAK® SC-70-6 |
Andre navne: | SIA411DJ-T1-E3TR SIA411DJT1E3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SIA411DJ-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 8V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |