Købe SIHG28N65EF-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-247AC |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 117 mOhm @ 14A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 250W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-247-3 |
Andre navne: | SiHG28N65EF-GE3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 24 Weeks |
Producentens varenummer: | SIHG28N65EF-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 3249pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 146nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 650V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 650V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
Email: | [email protected] |