SIR616DP-T1-GE3
SIR616DP-T1-GE3
Varenummer:
SIR616DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 20.2A SO8
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
18276 Pieces
Datablad:
SIR616DP-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SIR616DP-T1-GE3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SIR616DP-T1-GE3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SIR616DP-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:PowerPAK® SO-8
Serie:ThunderFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:50.5 mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max):52W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Pakke / tilfælde:PowerPAK® SO-8
Andre navne:SIR616DP-T1-GE3DKR
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:16 Weeks
Producentens varenummer:SIR616DP-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1450pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 7.5V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 200V 20.2A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):7.5V, 10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):200V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 200V 20.2A SO8
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:20.2A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer