Købe SIR616DP-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PowerPAK® SO-8 |
Serie: | ThunderFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 50.5 mOhm @ 10A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 52W (Tc) |
Emballage: | Original-Reel® |
Pakke / tilfælde: | PowerPAK® SO-8 |
Andre navne: | SIR616DP-T1-GE3DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 16 Weeks |
Producentens varenummer: | SIR616DP-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1450pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 7.5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 200V 20.2A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 7.5V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 200V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 200V 20.2A SO8 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 20.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |