Købe SIR668DP-T1-RE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PowerPAK® SO-8 |
Serie: | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 104W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | PowerPAK® SO-8 |
Andre navne: | SIR668DP-T1-RE3TR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 19 Weeks |
Producentens varenummer: | SIR668DP-T1-RE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 5400pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 83nC @ 7.5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 100V 95A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 7.5V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 100V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 100V 95A SO8 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 95A (Tc) |
Email: | [email protected] |