SISA18DN-T1-GE3
SISA18DN-T1-GE3
Varenummer:
SISA18DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
15031 Pieces
Datablad:
SISA18DN-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SISA18DN-T1-GE3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SISA18DN-T1-GE3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SISA18DN-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:PowerPAK® 1212-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max):3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:PowerPAK® 1212-8
Andre navne:SISA18DN-T1-GE3TR
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:SISA18DN-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21.5nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 30V 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Afløb til Source Voltage (VDSS):30V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:38.3A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer