Købe SISS23DN-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 8-PowerVDFN |
Andre navne: | SISS23DN-T1-GE3TR |
Driftstemperatur: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 24 Weeks |
Producentens varenummer: | SISS23DN-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 8840pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 300nC @ 10V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 20V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |