Købe SPB10N10 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 21µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-TO263-3-2 |
Serie: | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 170 mOhm @ 7.8A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 50W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andre navne: | SP000013845 SPB10N10T |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SPB10N10 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 426pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19.4nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 100V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 10.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |