Købe SPD04N80C3ATMA1 med BYCHPS
Køb med garanti
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 240µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Device Package: | PG-TO252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max): | 63W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfælde: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andre navne: | SP001117768 SPD04N80C3ATMA1TR |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikantens standard ledetid: | 6 Weeks |
| Producentens varenummer: | SPD04N80C3ATMA1 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 570pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funktion: | - |
| Udvidet beskrivelse: | N-Channel 800V 4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | 800V |
| Beskrivelse: | MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252 |
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |