Købe SQJ456EP-T1_GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PowerPAK® SO-8 |
Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 9.3A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 83W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | PowerPAK® SO-8 |
Andre navne: | SQJ456EP-T1-GE3 SQJ456EP-T1-GE3-ND |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 18 Weeks |
Producentens varenummer: | SQJ456EP-T1_GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 3342pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 63nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 100V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 100V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
Email: | [email protected] |