Købe SUD19P06-60-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-252, (D-Pak) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 10A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andre navne: | SUD19P06-60-GE3TR SUD19P0660GE3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 15 Weeks |
Producentens varenummer: | SUD19P06-60-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1710pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 60V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 60V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 18.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |