Købe TK10A80E,S4X med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220SIS |
Serie: | π-MOSVIII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1 Ohm @ 5A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 50W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Andre navne: | TK10A80E,S4X(S TK10A80ES4X |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 12 Weeks |
Producentens varenummer: | TK10A80E,S4X |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 800V 10A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 800V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 800V TO220SIS |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
Email: | sales@bychips.com |