TK10E60W,S1VX
TK10E60W,S1VX
Varenummer:
TK10E60W,S1VX
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
14206 Pieces
Datablad:
TK10E60W,S1VX.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for TK10E60W,S1VX, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til TK10E60W,S1VX via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe TK10E60W,S1VX med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:3.7V @ 500µA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:TO-220
Serie:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max):100W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-220-3
Andre navne:TK10E60W,S1VX(S
TK10E60WS1VX
Driftstemperatur:150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:16 Weeks
Producentens varenummer:TK10E60W,S1VX
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:Super Junction
Udvidet beskrivelse:N-Channel 600V 9.7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):600V
Beskrivelse:MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:9.7A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer