Købe TK4A60D(STA4,Q,M) med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.4V @ 1mA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220SIS |
Serie: | π-MOSVII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.7 Ohm @ 2A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 35W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 Full Pack |
Andre navne: | TK4A60D(Q) TK4A60D(Q)-ND TK4A60D(STA4QM) |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | TK4A60D(STA4,Q,M) |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 4A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
Email: | [email protected] |