Købe TK58E06N1,S1X med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 500µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220 |
Serie: | U-MOSVIII-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.4 mOhm @ 29A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 110W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
Andre navne: | TK58E06N1,S1X(S TK58E06N1S1X |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 12 Weeks |
Producentens varenummer: | TK58E06N1,S1X |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 3400pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 60V 58A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 60V |
Beskrivelse: | MOSFET N CH 60V 58A TO-220 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 58A (Ta) |
Email: | [email protected] |