TK7E80W,S1X
Varenummer:
TK7E80W,S1X
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
16106 Pieces
Datablad:
TK7E80W,S1X.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for TK7E80W,S1X, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til TK7E80W,S1X via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe TK7E80W,S1X med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 280µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:TO-220
Serie:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:950 mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max):110W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-220-3
Andre navne:TK7E80W,S1X(S
TK7E80WS1X
Driftstemperatur:150°C
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:12 Weeks
Producentens varenummer:TK7E80W,S1X
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 800V 6.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):800V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:6.5A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer