TPN1600ANH,L1Q
TPN1600ANH,L1Q
Varenummer:
TPN1600ANH,L1Q
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
18606 Pieces
Datablad:
TPN1600ANH,L1Q.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for TPN1600ANH,L1Q, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til TPN1600ANH,L1Q via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe TPN1600ANH,L1Q med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie:U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max):700mW (Ta), 42W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:8-PowerVDFN
Andre navne:TPN1600ANH,L1Q(M
TPN1600ANHL1QTR
Driftstemperatur:150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:12 Weeks
Producentens varenummer:TPN1600ANH,L1Q
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 100V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):100V
Beskrivelse:MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer